開発領域


■	豊富な最先端技術の開発経験に基づく超高速・広帯域メモリ設計技術を用いた４、８、１２、１６積層/パッケージ製品開発

実績


■	独自開発事例

プロジェクト	技術	特徴	開発状況
超広帯域積層DRAM	電源： Bumpless TSV 信号： TCI WOW積層	超高バンド幅(1024 bit I/O) Silicon interposerless 3次元実装	試作評価
積層DDR4	Bumpless TSV WOW積層	×64 DDR4 3200Mbps	量産（EOL）
カスタム HBM2E	P2P	超高バンド幅 Silicon interposerless 3次元実装	開発
大容量積層DDR4	電源： Bumpless TSV 信号： TCI/Bumpless TSV WOW積層	大容量DDR4 32Gbit/パッケージ WOW対応高効率欠陥救済	開発


■	設計受託

カスタムインタフェースを含む各種メモリ(DRAM/SRAM/MRAM)の開発において20件以上の設計実績があります。


■	特許実績（登録済み件数）

2022年12月現在　日本：22　米国：13　中国：8　合計：43件

技術の詳細については、お問合せ下さい。